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朗科:將研發(fā)超高頻 DDR5 電競內存,頻率可達 10000MHz 以上

2021年4月16日 08:12  IT之家  作 者:孤城

Netac 朗科科技今天宣布首批 DDR5 DRAM 內存顆粒已抵達朗科研發(fā)總部,朗科正式進入 DDR5 內存研發(fā)階段。

IT之家了解到,此批到達的顆粒為 Micron DDR5 ES,IC 編號為 Z9ZSB,根據(jù) Micron 官網(wǎng)查詢?yōu)?ES 樣品,顆粒容量為 2Gx8,工作時序為 40-40-40。顆; 1znm 工藝制造,尺寸為 11x9mm。

官方表示,朗科自 2018 年進入內存行業(yè),目前已經推出新款電競及國產化內存產品,預計在今年 6 月推出 DDR4 電競 RGB 燈條。結合內存性能的過往發(fā)展、研發(fā)路程以及對玩家速度的追求,朗科計劃投入研發(fā)可達 10000MHz 以上的 DDR5 內存產品,敬請期待。

編 輯:章芳
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