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AI算力散熱新紀(jì)元:瑞為新材以金剛石散熱引領(lǐng)芯片熱管理革命

2026年2月2日 17:52CCTIME飛象網(wǎng)

近日,英偉達(dá)CEO黃仁勛的一場會面引爆半導(dǎo)體圈——與河南超贏鉆石科技董事長朱艷輝深度洽談,核心直指鉆石銅散熱、第四代半導(dǎo)體、Vera Rubin芯片三大方向。與此同時,英偉達(dá)在2026年國際消費(fèi)電子展(CES)早已明確官宣:英偉達(dá)下一代Vera Rubin架構(gòu)GPU,將全面采用“鉆石銅復(fù)合散熱+45℃溫水直液冷”全新方案。

巨頭的密集動作,早已釋放清晰信號:AI算力狂飆的時代,傳統(tǒng)銅散熱已觸頂物理極限,鉆石銅復(fù)合散熱,正成為高端芯片突破“發(fā)熱墻”的唯一密鑰。而在這場由英偉達(dá)引領(lǐng)的芯片散熱革命中,芯片系統(tǒng)性熱管理解決方案提供商——南京瑞為新材料科技有限公司(以下簡稱“瑞為新材”)早已躬身布局,以自主可控的硬科技,成為適配英偉達(dá)新一代芯片需求的核心力量。

算力炸場背后,英偉達(dá)的“散熱焦慮”有解了

隨著AI大模型、云計算的迭代提速,芯片算力與功耗同步飆升。英偉達(dá)新一代Vera Rubin GPU堪稱“算力巨獸”——搭載第三代Transformer引擎,采用SoIC三維垂直堆疊先進(jìn)封裝,晶體管數(shù)量達(dá)3360億個,單芯片功耗最高突破2300W,芯片散熱壓力較前代呈幾何級增長。

傳統(tǒng)銅散熱早已不堪重負(fù):滿負(fù)荷運(yùn)行10分鐘核心溫度就觸達(dá)110℃過熱閾值,氧化老化導(dǎo)致3-5年就需更換,且熱脹冷縮特性無法貼合3納米級精密芯片,縫隙漏熱、漏電風(fēng)險突出。這也是黃仁勛為何頻頻聚焦鉆石銅散熱的核心原因——金剛石(即鉆石)作為第四代半導(dǎo)體材料,熱導(dǎo)率高達(dá)2000-2200W(m·k),銅的熱導(dǎo)率約為380~400W(m·k),兩者結(jié)合創(chuàng)造出熱導(dǎo)率高達(dá)950W(m·k)的復(fù)合材料,遠(yuǎn)超傳統(tǒng)封裝材料約200W(m·k)的水平。這一材料的核心優(yōu)勢在于其高導(dǎo)熱率與可調(diào)的熱膨脹系數(shù),能夠與半導(dǎo)體材料實現(xiàn)良好匹配,顯著降低芯片工作過程的熱應(yīng)力。

英偉達(dá)的布局早已落地:率先采用鉆石散熱技術(shù)的GPU實驗,AI及云計算性能提升3倍,溫度降低60%,能耗降低40%;Vera Rubin GPU搭載的鉆石銅復(fù)合散熱方案,更是實現(xiàn)“局部核心極致散熱+全局液冷高效控溫”的雙重突破。

瑞為新材:精準(zhǔn)適配英偉達(dá),國產(chǎn)鉆石散熱硬實力出圈

當(dāng)英偉達(dá)全力押注鉆石銅散熱,瑞為新材早已憑借多年技術(shù)積淀,實現(xiàn)了與巨頭需求的同頻共振——作為新一代高導(dǎo)熱材料創(chuàng)新者及芯片系統(tǒng)性熱管理解決方案提供商,瑞為新材聚焦芯片散熱領(lǐng)域,深耕金剛石/金屬復(fù)合材料研發(fā)生產(chǎn),破解了國外技術(shù)封鎖,成為國內(nèi)首家實現(xiàn)該類材料批量供貨的企業(yè),其核心產(chǎn)品可適配英偉達(dá)Vera Rubin GPU、H200等高端芯片的散熱需求。

能精準(zhǔn)對接英偉達(dá),源于瑞為新材不可替代的三大核心優(yōu)勢,更源于產(chǎn)品與英偉達(dá)散熱方案的“天生契合”:

優(yōu)勢一:核心技術(shù)突破,破解鉆石銅復(fù)合“卡脖子”難題

鉆石與銅的“不相容”的世界性難題,曾是制約鉆石銅復(fù)合材料產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵——就像水滴落在荷葉上無法浸潤,兩者結(jié)合難度極大。其次,金剛石復(fù)合材料硬度較高,因此加工質(zhì)量差,其次鋁-鋁硅熔點(diǎn)差異大、封裝難度高。瑞為新材團(tuán)隊歷經(jīng)近3年攻關(guān),獨(dú)創(chuàng)新型制造工藝和配方,突破多梯度一體化制造技術(shù),成功實現(xiàn)金剛石與銅的牢固結(jié)合,其研發(fā)的鉆石銅復(fù)合材料,熱導(dǎo)率550~950W/(m·K)區(qū)間,熱膨脹系數(shù)5.5~7.5(10-6/K)(20~100℃),能夠滿足芯片的高導(dǎo)熱需求。

優(yōu)勢二:全系列產(chǎn)品迭代,精準(zhǔn)匹配英偉達(dá)散熱方案

依托南京航空航天大學(xué)的產(chǎn)學(xué)研資源,瑞為新材從實驗室走向市場已推出三代核心產(chǎn)品,精準(zhǔn)匹配行業(yè)需求,并尋求更加深度化合作:

1. 平面載片類產(chǎn)品:超薄規(guī)格可精準(zhǔn)貼合英偉達(dá)GPU核心,實現(xiàn)“零距離”導(dǎo)熱,解決芯片核心“局部高燒”問題,應(yīng)對1000W/cm²以上的熱流密度,同時具備優(yōu)異的電絕緣性,避免芯片漏電風(fēng)險,相較于傳統(tǒng)銅散熱片,耐用性提升275%~300%,可使芯片溫升降低20℃-30℃,兼顧輕量化與高導(dǎo)熱需求。 2. 一體化封裝殼體:第二代產(chǎn)品采用芯片熱沉+殼體一體化封裝技術(shù),與GPU微流道結(jié)合,實現(xiàn)“液冷+導(dǎo)熱”雙效散熱;第三代集成化一體封裝殼體,整合散熱片、管殼、散熱器為一體,省去兩次界面熱阻與一次焊接,實現(xiàn)小型化集成,能夠滿足Vera Rubin GPU的三維堆疊先進(jìn)封裝需求,進(jìn)一步降低散熱損耗。

3. 芯片熱管理全鏈條定制服務(wù):未來,瑞為新材希望能夠與芯片設(shè)計公司進(jìn)行深度協(xié)同,向系統(tǒng)級、模塊級熱管理拓展,打造“系統(tǒng)熱設(shè)計——熱仿真分析——定制開發(fā)制造”全鏈條服務(wù),助力客戶實現(xiàn)散熱方案優(yōu)化與性能升級。

優(yōu)勢三:產(chǎn)業(yè)化能力成熟,筑牢供應(yīng)鏈保障底氣

不同于行業(yè)內(nèi)多數(shù)企業(yè)仍停留在實驗室階段,瑞為新材成立僅4年多就完成多輪融資,投資方包括毅達(dá)資本、水木創(chuàng)投等知名機(jī)構(gòu),已建成規(guī)模化生產(chǎn)線,目前產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增,預(yù)計2026年產(chǎn)能可達(dá)千萬片以上,能夠?qū)崿F(xiàn)批量穩(wěn)定供貨,可充分滿足英偉達(dá)及下游終端企業(yè)的規(guī);枨,筑牢供應(yīng)鏈安全屏障,打破國外對高導(dǎo)熱芯片散熱材料的壟斷。

風(fēng)口已至!瑞為新材期待與英偉達(dá)共啟散熱新時代

據(jù)國海證券研報預(yù)測,鉆石散熱市場規(guī)模將從2025年的0.37億美元暴漲至2030年的152億美元,滲透率從不足0.1%提升至10%,風(fēng)口效應(yīng)凸顯。而中國作為全球培育鉆石核心產(chǎn)區(qū),75%的培育鉆石毛坯、70%以上的半導(dǎo)體級高純度培育鉆石均來自中國,為國產(chǎn)企業(yè)提供了得天獨(dú)厚的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。

英偉達(dá)的布局,不僅重構(gòu)了高端芯片散熱的產(chǎn)業(yè)格局,更給國產(chǎn)散熱材料企業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。作為國家級專精特新“小巨人”企業(yè),瑞為新材憑借自主可控的核心技術(shù)、全系列適配產(chǎn)品、成熟的產(chǎn)業(yè)化能力,已成為國產(chǎn)鉆石散熱材料的標(biāo)桿,不僅服務(wù)于十大軍工集團(tuán)及華為、中興等龍頭企業(yè),更已具備對接英偉達(dá)等國際巨頭的實力。

算力無界,散熱有道。當(dāng)英偉達(dá)以鉆石銅散熱開啟AI算力新征程,瑞為新材正以國產(chǎn)硬科技保駕護(hù)航,破解芯片散熱“卡脖子”難題,推動國產(chǎn)散熱材料走向全球。

編 輯:T01
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