中微公司四款新品同步發(fā)布 以深度創(chuàng)新加速平臺化發(fā)展

在全球半導體盛會SEMICON China 2026期間，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，證券代碼“688012”）宣布推出四款覆蓋硅基及化合物半導體關鍵工藝的新產(chǎn)品，包括新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設備Primo Angnova™、高選擇性刻蝕機Primo Domingo™、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設備Preciomo Udx®，進一步豐富了公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備及核心智能零部件領域的產(chǎn)品組合及系統(tǒng)化解決方案能力，持續(xù)夯實平臺化發(fā)展的基礎，助力公司在規(guī)�；�拓展的進程中實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

Primo Angnova™：應對先進節(jié)點高深寬比挑戰(zhàn)的ICP解決方案

隨著邏輯芯片向5納米及以下節(jié)點邁進和先進存儲芯片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕設備面臨著對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰(zhàn)。Primo Angnova™ ICP單腔刻蝕系統(tǒng)正是為應對這些挑戰(zhàn)而生。

新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設備Primo Angnova™

該產(chǎn)品采用中心抽氣設計，配備業(yè)界領先的對稱氣流控制閥、高流導和高速分子泵系統(tǒng)，可實現(xiàn)極高的反應氣體通量，大幅度擴展反應腔體壓力控制范圍。在功率源和等離子體方面，Primo Angnova™集成了具有中微公司自主知識產(chǎn)權(quán)的第二代LCC射頻線圈和直流磁場輔助線圈MFTR，并配備先進的四段脈沖控制，可實現(xiàn)對離子濃度和離子能量的高精度獨立控制。尤其突出的是，其搭載的超低頻射頻等離子體源，能夠產(chǎn)生極高的離子能量，顯著增強了設備在高深寬比ICP刻蝕工藝中的處理能力。

在溫度控制方面，Primo Angnova™采用超過200區(qū)獨立溫控的Durga III ESC靜電吸盤，分區(qū)控溫精度顯著提升，結(jié)合晶圓邊緣連續(xù)AEIT（晶圓邊緣阻抗主動調(diào)節(jié)） 設計，實現(xiàn)了優(yōu)異的片內(nèi)刻蝕均勻性。在系統(tǒng)集成與效率方面，Primo Angnova™搭載了中微公司成熟的Primo C6V3傳送平臺，最多可配置6個主刻蝕腔體與2個LL Strip除膠腔體，有效降低綜合運行成本。

Primo Angnova™的推出，為5納米及以下邏輯芯片技術以及同等技術節(jié)點難度的先進存儲芯片的制造領域， 提供了自主可控、技術領先的ICP刻蝕工藝解決方案，助力客戶提升先進制程產(chǎn)能，降低生產(chǎn)成本，持續(xù)增強市場競爭力。

Primo Domingo™：攻克GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題

如今，芯片架構(gòu)三維化正成為支持芯片持續(xù)縮微的重要動能, 而高選擇性刻蝕工藝是三維器件制造的最關鍵工藝之一。針對GAA、3D NAND、DRAM等器件工藝需求, 中微公司正式推出Primo Domingo™ 高選擇性刻蝕設備。

中微公司高選擇性刻蝕機Primo Domingo™

該產(chǎn)品采用全對稱腔體結(jié)構(gòu)與優(yōu)化流場設計，在氣體注入、溫度控制、壓力調(diào)控等關鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)系統(tǒng)整合，確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重復性。Primo Domingo™獨特的集成氣柜設計，可縮短氣體注入距離，實現(xiàn)更快脈沖氣體精密控制，為刻蝕工藝提供精準保障。設備內(nèi)部采用了高抗腐蝕管路與特殊涂層材料以應對工藝所需的高活性刻蝕氣體，保障設備長期可靠運行。此外，Primo Domingo™配備了雙制冷/雙加熱晶圓基座，支持寬范圍精準溫控，顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩(wěn)定性。Primo Domingo™同樣搭載中微公司量產(chǎn)的Primo C6V3傳輸系統(tǒng)，可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔，滿足不同刻蝕應用的需求。

Primo Domingo™的推出，標志著公司在高選擇性刻蝕設備領域?qū)崿F(xiàn)了重要突破，填補了國內(nèi)在下一代3D半導體器件制造中關鍵刻蝕工藝的自主化空白。該產(chǎn)品的成功研發(fā)，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕設備領域的產(chǎn)品矩陣，更有力支撐了集成電路產(chǎn)業(yè)在先進工藝節(jié)點上的技術攻堅，為客戶實現(xiàn)更高性能、更小尺寸的器件制造提供了關鍵工藝設備保障。

Smart RF Match：從“被動響應”到“主動預測”的智能革命

此次發(fā)布的Smart RF Match 智能射頻匹配器，是中微公司在高端半導體刻蝕設備中關鍵子系統(tǒng)的又一創(chuàng)新突破。Smart RF Match智能射頻匹配器用于在設備腔體內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體生成與控制，專為半導體前道制程，特別是介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕，以及先進封裝、MEMS、化合物半導體等精密刻蝕的應用而設計。它首次在半導體設備領域引進了射頻回路專網(wǎng)概念，通過EtherCAT實現(xiàn)射頻電源與智能匹配器之間射頻狀態(tài)信息的實時準確傳輸，使智能匹配器能夠作為主動設備，在調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡的同時向射頻電源下發(fā)控制指令。

中微公司Smart RF Match智能射頻匹配器

基于具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型智能射頻匹配控制算法，Smart RF Match可實現(xiàn)微秒級的射頻環(huán)境響應，能夠根據(jù)等離子體狀態(tài)實時自動調(diào)節(jié)阻抗，確保射頻能量高效、穩(wěn)定地傳輸。獨特的智能調(diào)控算法根據(jù)工藝條件對電源頻率調(diào)節(jié)范圍以及匹配調(diào)節(jié)模式等進行自動選擇及切換，實現(xiàn)比傳統(tǒng)匹配器快百倍以上的匹配速度。

在客戶端高端邏輯工藝的實際測試中，在相同工藝條件下，與傳統(tǒng)的固定式匹配方案相比，智能射頻匹配系統(tǒng)不僅將射頻信號匹配速度提升了225%，還助力整體刻蝕效率提高15%。這一性能提升，直接轉(zhuǎn)化為更高的設備單位產(chǎn)能與更穩(wěn)定的工藝一致性。

智能射頻匹配器的推出，標志著中微公司在等離子體控制領域?qū)崿F(xiàn)了從“被動響應”到“主動預測”的關鍵跨越。它不僅有效解決了行業(yè)長期面臨的匹配精度、效率與穩(wěn)定性的核心難題，顯著提升了工藝性能與設備產(chǎn)能，更通過為下一代高端設備嵌入智能內(nèi)核，為客戶持續(xù)創(chuàng)造更高良率、更優(yōu)成本與更強競爭力的價值，推動半導體制造向更高效、更智能的未來邁進。

Preciomo Udx ®：為Micro LED量產(chǎn)打造的關鍵MOCVD設備

為滿足Micro LED量產(chǎn)對高波長均勻性與低顆粒度的嚴苛要求，中微公司推出了專為Micro LED量產(chǎn)設計的Preciomo Udx ® MOCVD設備。該設備從氣體輸運、加熱模式、溫場控制等關鍵技術均采用了全新的設計理念，突破了現(xiàn)有垂直氣流MOCVD的技術路線，采用新型水平式雙旋轉(zhuǎn)反應室結(jié)構(gòu)，并通過對溫場與流場的仿真設計，及硬件與工藝優(yōu)化，顯著提升了波長均勻性，為客戶實現(xiàn)Micro LED量產(chǎn)提供了關鍵支撐。

中微公司藍綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設備Preciomo Udx® 

中微公司此次發(fā)布的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Preciomo Udx®專為MOCVD量產(chǎn)設計，最多可配置兩個反應腔，可同時加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化鎵藍綠光Micro LED外延片。每個反應腔均可獨立控制，具有高度生產(chǎn)靈活性。同時，Preciomo Udx®采用水平式雙旋轉(zhuǎn)反應器結(jié)構(gòu)，并配備符合集成電路行業(yè)標準的EFEM和SMIF系統(tǒng)，可實現(xiàn)片盒到片盒的全自動化傳輸模式，有效降低Micro LED外延片的顆粒數(shù)。該設備基于模型的溫度控制系統(tǒng)與業(yè)界領先的單腔產(chǎn)能，使其憑借優(yōu)異的波長均勻性、低缺陷密度以及高產(chǎn)出穩(wěn)定性，滿足了Micro LED量產(chǎn)的嚴苛技術要求。

中微公司產(chǎn)品家族

自2004年成立以來，中微公司始終站在先進制程工藝發(fā)展的最前沿，堅持“技術創(chuàng)新性，產(chǎn)品差異化和知識產(chǎn)權(quán)保護”。作為行業(yè)領先的半導體設備企業(yè)，中微公司持續(xù)推動技術突破與產(chǎn)品創(chuàng)新，平臺化戰(zhàn)略全面落地，產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，正穩(wěn)步邁入規(guī)模化發(fā)展新階段。近年來，公司不斷提高開發(fā)新的設備產(chǎn)品的質(zhì)量和效率，將新產(chǎn)品的開發(fā)從傳統(tǒng)的3到5年周期大幅縮短至2年以內(nèi)， 2025年公司開發(fā)的項目涵蓋六大類，超過二十款新設備。通過“有機生長和外延擴展”，公司在五年內(nèi)將覆蓋60%以上的高端關鍵設備。持續(xù)且高強度的研發(fā)投入，為公司的技術突破與產(chǎn)品創(chuàng)新，以及未來持續(xù)高速發(fā)展奠定了堅實基礎。

隨著四款新品的加入，公司已覆蓋從宏觀控制到微觀感知、從成熟制程到前沿節(jié)點的多個維度，為加速向高端半導體設備平臺化公司邁進注入了全新動能。

未來，中微公司將繼續(xù)堅持“三維立體生長“ 與 ”有機生長和外延擴展”相結(jié)合的戰(zhàn)略，持續(xù)鞏固在集成電路關鍵設備領域的核心競爭力和優(yōu)勢，不斷拓展泛半導體關鍵設備應用，并通過持續(xù)的技術升級和深度的產(chǎn)業(yè)鏈合作進行新興領域探索，通過“科創(chuàng)企業(yè)五個十大”的學習和傳承，使企業(yè)總能量、對外競爭的凈能量最大化，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康、安全的高質(zhì)量發(fā)展，為2035年在規(guī)模、產(chǎn)品競爭力和客戶滿意度上成為全球第一梯隊的半導體設備公司打下堅實的基礎。