“買顯存送核心”，AI芯片競賽進(jìn)入“內(nèi)存為王”！智能體大時(shí)代，中國AI芯片有何機(jī)會(huì)？

每經(jīng)記者|朱成祥每經(jīng)編輯|杜宇

曾經(jīng)，云服務(wù)廠商買AI芯片，關(guān)注GPU（圖形處理器）算力大小，而如今，可能更多的是看重顯存大小，比如是40GB還是80GB。

甚至有人調(diào)侃“買顯存送核心”，即買一張GPU算力卡，更看重的是顯存帶寬和容量，而不是GPU算力大小。

如今，內(nèi)存芯片一兩個(gè)月價(jià)格翻倍的大漲潮，正是對AI芯片進(jìn)入“內(nèi)存為王”的集中體現(xiàn)。

AI云基礎(chǔ)設(shè)施廠商PPIO相關(guān)專家告訴每經(jīng)記者：“HBM（高帶寬內(nèi)存）及CoWoS（基板上晶圓、芯片）封裝產(chǎn)生的成本已經(jīng)超過純GPU芯片，HBM成本已經(jīng)‘碾壓’核心，‘買顯存送核心’已成為現(xiàn)實(shí)�！�

某GPU芯片企業(yè)技術(shù)負(fù)責(zé)人李明（化名）對每經(jīng)記者表示：“結(jié)合我們硬件設(shè)計(jì)與供應(yīng)鏈經(jīng)驗(yàn)，CoWoS封裝GPU中，當(dāng)前HBM顯存成本已接近甚至超過GPU核心，是整卡成本最高的單一組件�！�

懂芯創(chuàng)始人張慧娟告訴每經(jīng)記者：“AI芯片的競爭已從單純的算力競賽，轉(zhuǎn)向了內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量的雙重競賽。HBM通過先進(jìn)封裝技術(shù)與GPU裸片集成在同一封裝內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的緊耦合，極大地緩解了內(nèi)存難題，越來越成為業(yè)界追捧的主要方向�！�

2025年下半年以來，存儲(chǔ)芯片持續(xù)漲價(jià)成了半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的話題。進(jìn)入2026年，存儲(chǔ)芯片仍保持上漲趨勢，且漲幅驚人。

而這背后，是AI芯片已進(jìn)入“內(nèi)存為王”的時(shí)代。

2023年，ChatGPT石破天驚，人類社會(huì)進(jìn)入大模型時(shí)代。進(jìn)入2026年，大模型已然從思考轉(zhuǎn)向應(yīng)用，智能體、Skill以及“養(yǎng)蝦”成了熱門話題。

人工智能的發(fā)展，也對AI芯片有了新的要求。隨著大模型參數(shù)的增加，訓(xùn)練和推理對顯存（內(nèi)存的一種）的需求也與日俱增。

張慧娟表示：“我們已經(jīng)見證了模型參數(shù)量的指數(shù)級增長，從GPT-3的1750億到萬億級MoE（混合專家模型），直接推動(dòng)了HBM需求的爆發(fā)。這也逐步造成，制約算力的瓶頸往往不是芯片算力本身，而是數(shù)據(jù)從內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)接?jì)算核心的速度，因?yàn)閰��?shù)必須被加載到計(jì)算單元附近的高速存儲(chǔ)介質(zhì)中，計(jì)算單元才能以極低的延遲調(diào)用它們進(jìn)行運(yùn)算�！�

李明認(rèn)為：“大模型的參數(shù)量與內(nèi)存需求之間存在著直接的正向關(guān)系。在2026年的技術(shù)背景下，雖然模型架構(gòu)（如MoE混合專家模型）和量化技術(shù)（Quantization）在不斷優(yōu)化，但‘參數(shù)量越大，內(nèi)存需求越高’依然是AI領(lǐng)域的基本物理定律。除了模型權(quán)重需要的靜態(tài)顯存占用以外，大模型運(yùn)行時(shí)需要的KV Cache和激活值等都會(huì)額外占用顯存。在訓(xùn)練任務(wù)中，還需要額外顯存來保存梯度和優(yōu)化器狀態(tài)等信息�！�

但大模型對內(nèi)存的強(qiáng)勁“渴望”，不僅僅局限于參數(shù)的增長。

智能體的快速發(fā)展，令A(yù)I推理對AI芯片的需求大增。業(yè)界普遍認(rèn)為，未來AI推理對AI芯片的需求將大幅超越AI訓(xùn)練。

PPIO專家表示：“大模型推理場景中，GPU內(nèi)存主要用于兩個(gè)方面，一是保存大模型的權(quán)重，另一個(gè)是推理過程中用于存儲(chǔ)中間狀態(tài)，也就是KV Cache緩存。前者由大模型參數(shù)量決定，后者取決于會(huì)話的上下文長度。大模型發(fā)展至今，參數(shù)量已經(jīng)趨于穩(wěn)定，不會(huì)大幅增加。而會(huì)話的上下文長度還在持續(xù)增加，特別是Agent（智能體）場景下，1百萬Token的上下文長度已成為主流。這樣進(jìn)一步增加對內(nèi)存的開銷，長上下文成為內(nèi)存需求的主要因素。”

參數(shù)、長上下文，這兩大因素的作用下，內(nèi)存的重要性已然超越GPU計(jì)算核心。

不僅僅客戶需求側(cè)更加看重內(nèi)存。在成本結(jié)構(gòu)中，內(nèi)存的成本也大幅高于純粹的GPU核心。

PPIO專家稱：“一張GPU的成本構(gòu)成主要分成三部分，一是HBM內(nèi)存，容量越大成本越高；二是GPU核心（邏輯計(jì)算芯片）；三是先進(jìn)封裝工藝（CoWoS）。高端GPU，由于HBM內(nèi)存容量更大，其HBM的成本更高，以B200（英偉達(dá)GPU）為例，其總生產(chǎn)成本的構(gòu)成中，HBM內(nèi)存占比約45%，CoWoS封裝及良率損失占比約34%，GPU核心芯片占比只有14%左右�！�

即英偉達(dá)B200的成本結(jié)構(gòu)中，45%源自向SK海力士、三星、美光等廠商購買HBM，14%源自臺(tái)積電代工的GPU裸芯，34%源自臺(tái)積電代工的CoWoS封裝及良率損失。

而HBM由多層DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）堆疊而成。HBM需求大增，意味著SK海力士這類廠商將越來越多的DRAM產(chǎn)能用于制造HBM，相應(yīng)用于消費(fèi)級的DRAM產(chǎn)能便少了。

PPIO專家表示：“三大存儲(chǔ)巨頭（三星、SK海力士、美光）已經(jīng)將70%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到HBM上，用于消費(fèi)電子的GDDR產(chǎn)能反而會(huì)下降。因此我們首先看到消費(fèi)領(lǐng)域的GeForce GPU的價(jià)格普遍上漲，大內(nèi)存GPU減產(chǎn)甚至停產(chǎn)，這是由于GDDR內(nèi)存減產(chǎn)以優(yōu)先保障HBM內(nèi)存導(dǎo)致的�！�

那么，若未來存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)能提升，消費(fèi)電子領(lǐng)域存儲(chǔ)價(jià)格是否也將率先受到?jīng)_擊？

張慧娟認(rèn)為：“消費(fèi)電子往往是最先感知到波動(dòng)的領(lǐng)域。特別是對于存儲(chǔ)來說，比如手機(jī)、PC（個(gè)人電腦）用的LPDDR（低功耗內(nèi)存）、SSD（固態(tài)硬盤）等接近于標(biāo)準(zhǔn)品，價(jià)格彈性大。一旦上游晶圓產(chǎn)能提升，最先反映在現(xiàn)貨價(jià)上的是這些產(chǎn)品�！�

李明認(rèn)為：“未來存儲(chǔ)產(chǎn)能提升后，最先受到影響的是消費(fèi)電子用存儲(chǔ)。消費(fèi)級存儲(chǔ)認(rèn)證周期短、需求彈性大、替換靈活，新產(chǎn)能可快速導(dǎo)入消費(fèi)端，價(jià)格波動(dòng)也最為明顯。而數(shù)據(jù)中心用存儲(chǔ)認(rèn)證流程通常需要6—18個(gè)月，新產(chǎn)能導(dǎo)入速度較慢，且存儲(chǔ)廠商會(huì)優(yōu)先保障數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)能供給，因此它受產(chǎn)能提升的影響最晚、幅度最小�？傮w而言，產(chǎn)能提升的影響會(huì)先平抑消費(fèi)端價(jià)格，再逐步傳導(dǎo)至企業(yè)級市場。”

簡而言之，存儲(chǔ)產(chǎn)能提升后，將率先平抑消費(fèi)端存儲(chǔ)芯片價(jià)格。

值得一提的是，三星、SK海力士未來將有兩座晶圓廠陸續(xù)投產(chǎn)，這將緩解內(nèi)存“缺貨漲價(jià)”嗎？若P4L（三星電子）和M15x（SK海力士）提前投入運(yùn)營，是否將對存儲(chǔ)芯片價(jià)格帶來沖擊？

張慧娟認(rèn)為：“P4L和M15x新增產(chǎn)能，很大程度上是為HBM和高性能DDR5（第五代計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格）準(zhǔn)備的，而不是傳統(tǒng)的DDR4（第四代計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格）或NAND（閃存）。這些屬于高端產(chǎn)能。”

其補(bǔ)充表示：“對HBM的價(jià)格沖擊可能不大，甚至不會(huì)降價(jià)。因?yàn)锳I芯片開發(fā)周期長，且市場處于供不應(yīng)求的局面。新增產(chǎn)能是為了填平供需缺口，有望抑制價(jià)格進(jìn)一步大漲，但難以帶來大幅降價(jià)。對普通DRAM而言，假設(shè)HBM需求不及預(yù)期，或者廠商將部分產(chǎn)線切換回通用DRAM，那么會(huì)對消費(fèi)電子內(nèi)存價(jià)格帶來壓力。但目前看，晶圓廠更傾向于優(yōu)先保證高利潤的HBM生產(chǎn)�！�

李明對每經(jīng)記者表示：“從存儲(chǔ)芯片供應(yīng)鏈與GPU硬件配套的角度分析，三星P4L與SK海力士M15x即便提前投產(chǎn)，短期內(nèi)對存儲(chǔ)芯片價(jià)格的沖擊也較為有限。核心原因在于，這兩座工廠的新產(chǎn)能主要聚焦于HBM、先進(jìn)制程DDR等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品，并未直接擴(kuò)產(chǎn)消費(fèi)級存儲(chǔ)。”

李明補(bǔ)充表示：“當(dāng)前AI需求呈爆發(fā)式增長，高端存儲(chǔ)仍處于供需緊張狀態(tài)，因此短期價(jià)格將維持高位。中長期來看，隨著產(chǎn)能逐步釋放，高端存儲(chǔ)的供給壓力會(huì)有所緩解，但新產(chǎn)能將優(yōu)先配套AI與數(shù)據(jù)中心需求，普通消費(fèi)級存儲(chǔ)不會(huì)出現(xiàn)大幅降價(jià)，整體呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性緩和態(tài)勢。此外，各大廠商的存儲(chǔ)優(yōu)化技術(shù)，也能進(jìn)一步平衡供需，避免全品類存儲(chǔ)價(jià)格出現(xiàn)大幅波動(dòng)�！�

PPIO認(rèn)為：“HBM的產(chǎn)能嚴(yán)重不足以及AI數(shù)據(jù)中心對GPU的旺盛需求是造成HBM內(nèi)存成本遠(yuǎn)高于GPU核心的主要因素。市場的供需不平衡會(huì)促使更多內(nèi)存廠商擴(kuò)大生產(chǎn)，尤其是增加HBM的生產(chǎn)和供給，不過短期很難改變供需失衡的現(xiàn)狀，未來HBM內(nèi)存價(jià)格還將繼續(xù)上漲，但趨勢會(huì)放緩�！�

在AI算力相對不稀缺而HBM短缺的背景下，中國AI芯片廠商有何機(jī)會(huì)？

據(jù)記者了解，國內(nèi)AI芯片廠商除了自身產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，還在基礎(chǔ)軟件層面聯(lián)合各大人工智能基礎(chǔ)設(shè)施公司、大模型廠商和互聯(lián)網(wǎng)等生態(tài)伙伴一同研究例如低精度量化、專家預(yù)測加載等工程優(yōu)化技術(shù)，來系統(tǒng)性地降低實(shí)際大模型部署和應(yīng)用過程中對內(nèi)存的需求。

即在工程化領(lǐng)域，中國工程師紅利或?qū)⑼癸@。

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