為了推動AI等創(chuàng)新應(yīng)用落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數(shù)級增長的算力。為此，半導體行業(yè)正在不斷拓展芯片制造的邊界，探索提高性能、降低功耗的創(chuàng)新路徑。
在這樣的背景下，傳統(tǒng)上僅用于散熱和保護設(shè)備的封裝技術(shù)正在從幕后走向臺前，成為行業(yè)熱門趨勢。與傳統(tǒng)的封裝技術(shù)不同，先進封裝技術(shù)可以在單個設(shè)備內(nèi)集成不同廠商、不同制程、不同大小、不同功能的芯片，從而為打造功能更強大、能效比更高的系統(tǒng)級芯片（SoC），帶來了全新的可能性。
英特爾一直致力于將處理器、加速器和存儲器等各種各樣的芯片堆疊起來，組合到更大規(guī)模的封裝中，幫助客戶讓產(chǎn)品性能“更上一層樓”。在2025 IEEE電子器件技術(shù)大會（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術(shù)的最新進展，這一大會由IEEE（電氣電子工程師學會）電子封裝協(xié)會主辦，聚焦于封裝、器件和微電子系統(tǒng)的科研、技術(shù)與教育，是封裝領(lǐng)域的國際頂會。
具體而言，英特爾在封裝領(lǐng)域的三大關(guān)鍵技術(shù)路徑包括：提高封裝的良率，確保供電穩(wěn)定可靠，以及通過有效的熱管理技術(shù)實現(xiàn)散熱。
EMIB-T：穩(wěn)定供電
英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)已經(jīng)投入生產(chǎn)，突破了光罩尺寸的限制，實現(xiàn)了多芯片之間的高速互聯(lián)。此外，通過硅通孔（TSV）技術(shù)，EMIB-T 優(yōu)化了供電效率，并為集成高速HBM4，以及基于UCIe標準的芯粒提供了簡便的解決方案。
熱壓鍵合：提高良率
隨著封裝尺寸越來越大，集成多芯片的復(fù)雜程度也在同步提升。英特爾計劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進工藝來提高良率和可靠性。
分解式散熱器：高效散熱
隨著封裝變得越來越復(fù)雜，尺寸也越來愈大，熱設(shè)計功耗（TDP）也在不斷增加。為應(yīng)對散熱層面的挑戰(zhàn)，英特爾正在研發(fā)全新的分解式散熱器技術(shù)，以及新一代熱界面材料。這些創(chuàng)新可以更有效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個部分，進而提升整體的散熱效率。
